CS30N10P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: CS30N10P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 110 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 53 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 45 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 276 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.038 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET CS30N10P

CS30N10P Datasheet (PDF)

..1. Size:798K convert
cs30n10p cs30n10u cs30n10d.pdf

nvertSuzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd.CS30N10P,CS30N10UCS30N10D100V N-Channel MOSFETFEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capabilityAPPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC)Device Marking and Package InformationDevice Package MarkingCS30N10P TO-220 CS

7.1. Size:860K blue-rocket-elect
brcs30n10dp.pdf

BRCS30N10DP Rev.A Sep.-2018 DATA SHEET / Descriptions NTO-252 N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features RDS(on) Crss Low RDS(on) ,low gate charge, low C rss , fast switching. / Applications DC/DC

9.1. Size:877K blue-rocket-elect
brcs30n02ip.pdf

BRCS30N02IP Rev.A Sep.-2018 DATA SHEET / Descriptions N TO-251 N-CHANNEL MOSFET in a TO-251 Plastic Package. / Features R C DS(on) rssLow RDS(on),low gate charge, low Crss, fast switching. / Applications DC/DC

9.2. Size:837K blue-rocket-elect
brcs30n02dp.pdf

BRCS30N02DP Rev.A Sep.-2018 DATA SHEET / Descriptions N TO-252 N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features R C DS(on) rssLow RDS(on),low gate charge, low Crss, fast switching. / Applications DC/DC

9.3. Size:59K china
cs30nf06l.pdf

CS30NF06LN PD TC=25 70 W 0.46 W/VGS=10V,TC=25 35ID A VGS=10V,TC=100 25IDM 140 A VGS 20 VTjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 2.14 /WRthJA 100 /W BVDSS VGS=0V,ID=0.25mA 60 VVGS=5V,ID=18A 0.025 0.07RD

Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: