CS30N10P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CS30N10P
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 110 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 30 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 53 nC
Tiempo de subida (tr): 45 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 276 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.038 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220
Búsqueda de reemplazo de MOSFET CS30N10P
CS30N10P Datasheet (PDF)
cs30n10p cs30n10u cs30n10d.pdf
nvertSuzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd.CS30N10P,CS30N10UCS30N10D100V N-Channel MOSFETFEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capabilityAPPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC)Device Marking and Package InformationDevice Package MarkingCS30N10P TO-220 CS
cs30nf06l.pdf
CS30NF06LN PD TC=25 70 W 0.46 W/VGS=10V,TC=25 35ID A VGS=10V,TC=100 25IDM 140 A VGS 20 VTjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 2.14 /WRthJA 100 /W BVDSS VGS=0V,ID=0.25mA 60 VVGS=5V,ID=18A 0.025 0.07RD
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