CS30N10P MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CS30N10P
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 110 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 45 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 276 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.038 Ohm
Encapsulados: TO-220
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CS30N10P datasheet
cs30n10p cs30n10u cs30n10d.pdf
nvert Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd. CS30N10P,CS30N10U CS30N10D 100V N-Channel MOSFET FEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capability APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) Device Marking and Package Information Device Package Marking CS30N10P TO-220 CS
cs30n20fa9r.pdf
Silicon N-Channel Power MOSFET R CS30N20F A9R General Description VDSS 200 V CS30N20F A9R, the silicon N-channel Enhanced ID 30 A PD(TC=25 ) 42 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 70 m which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various po
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