CS30N10U Todos los transistores

 

CS30N10U MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CS30N10U
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 110 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 45 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 276 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.038 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-251
 

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CS30N10U Datasheet (PDF)

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CS30N10U

nvertSuzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd.CS30N10P,CS30N10UCS30N10D100V N-Channel MOSFETFEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capabilityAPPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC)Device Marking and Package InformationDevice Package MarkingCS30N10P TO-220 CS

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CS30N10U

BRCS30N10DP Rev.A Sep.-2018 DATA SHEET / Descriptions NTO-252 N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features RDS(on) Crss Low RDS(on) ,low gate charge, low C rss , fast switching. / Applications DC/DC

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CS30N10U

BRCS30N02IP Rev.A Sep.-2018 DATA SHEET / Descriptions N TO-251 N-CHANNEL MOSFET in a TO-251 Plastic Package. / Features R C DS(on) rssLow RDS(on),low gate charge, low Crss, fast switching. / Applications DC/DC

 9.2. Size:837K  blue-rocket-elect
 brcs30n02dp.pdf pdf_icon

CS30N10U

BRCS30N02DP Rev.A Sep.-2018 DATA SHEET / Descriptions N TO-252 N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features R C DS(on) rssLow RDS(on),low gate charge, low Crss, fast switching. / Applications DC/DC

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History: AP60N03GS | 2SK3153 | HM8810S | AP10TN040H | SI4410DYPBF | 2SK2943 | NCE60N700D

 

 
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