CS30N10D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CS30N10D
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 110 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 30 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 53 nC
Tiempo de subida (tr): 45 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 276 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.038 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET CS30N10D
CS30N10D Datasheet (PDF)
cs30n10p cs30n10u cs30n10d.pdf
nvertSuzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd.CS30N10P,CS30N10UCS30N10D100V N-Channel MOSFETFEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capabilityAPPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC)Device Marking and Package InformationDevice Package MarkingCS30N10P TO-220 CS
cs30nf06l.pdf
CS30NF06LN PD TC=25 70 W 0.46 W/VGS=10V,TC=25 35ID A VGS=10V,TC=100 25IDM 140 A VGS 20 VTjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 2.14 /WRthJA 100 /W BVDSS VGS=0V,ID=0.25mA 60 VVGS=5V,ID=18A 0.025 0.07RD
Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
