CS30N10D - описание и поиск аналогов

 

CS30N10D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CS30N10D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 276 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.038 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для CS30N10D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS30N10D даташит

 ..1. Size:798K  convert
 cs30n10p cs30n10u cs30n10d.pdf pdf_icon

CS30N10D

nvert Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd. CS30N10P,CS30N10U CS30N10D 100V N-Channel MOSFET FEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capability APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) Device Marking and Package Information Device Package Marking CS30N10P TO-220 CS

 0.1. Size:860K  blue-rocket-elect
 brcs30n10dp.pdf pdf_icon

CS30N10D

 9.1. Size:372K  1
 cs30n20fa9r.pdf pdf_icon

CS30N10D

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS30N20F A9R General Description VDSS 200 V CS30N20F A9R, the silicon N-channel Enhanced ID 30 A PD(TC=25 ) 42 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 70 m which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various po

 9.2. Size:877K  blue-rocket-elect
 brcs30n02ip.pdf pdf_icon

CS30N10D

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... CS2N70HP , CS2N70HU , CS2N70HD , CS2N90F , CS2N90P , CS2N90B , CS30N10P , CS30N10U , 20N50 , CS3N100F , CS3N100P , CS3N150F , CS3N150W , CS3N150VF , CS3N50DF , CS3N50DP , CS3N50DD .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.