SSH15N55 Todos los transistores

 

SSH15N55 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SSH15N55
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 230 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 550 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 280 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 738 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3P
     - Selección de transistores por parámetros

 

SSH15N55 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:394K  samsung
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SSH15N55

SSH15N55 PCB24

Otros transistores... SSF8N90A , SSF9N80A , SSF9N90A , SSH10N60A , SSH10N70 , SSH10N70A , SSH10N80A , SSH10N90A , IRF640 , SSH15N55A , SSH15N60 , SSH15N60A , SSH17N60A , SSH20N45 , SSH20N45A , SSH20N50 , SSH20N50A .

History: NTMFS4925NT1G | 2SJ152 | VS3620DP-G

 

 
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