CS4N150V Todos los transistores

 

CS4N150V MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CS4N150V
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 63 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 42.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 6 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-3P
 

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CS4N150V Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1096K  convert
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CS4N150V

nvertSuzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd. CS4N150V,CS4N150W,CS4N150VF1500V N-Channel MOSFETFEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capabilityAPPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC)Device Marking and Package InformationDevice Package MarkingCS4N150V TO-3P CS4N

 9.1. Size:1047K  blue-rocket-elect
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CS4N150V

BRCS4N10TA Rev.A Jun.-2021 DATA SHEET / Descriptions SOT-89 N MOS N- CHANNEL MOSFET in a SOT-89 Plastic Package. / Features VDS (V) = 100V ID = 4A (VGS = 10V) RDS(ON)

 9.2. Size:109K  china
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CS4N150V

BCS4N10 PD TC=25 14 W ID TC=25 4 A VGS 20 V Tjm +150 Tstg -55 +155 BVDSS VGS=0V,ID=0.25mA 100 V RDS on VGS=10V,ID=3.8A 0.55 VGS th VDS=VGS,ID=0.25mA 2.0 4.0 V gfs VDS=15V,IDS=3.8A(N)IDS=4.1A(P) 1.2 S IDSS VDS=

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 cs4n100f cs4n100v cs4n100vf.pdf pdf_icon

CS4N150V

nvertSuzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd.CS4N100F,CS4N100V,CS4N100VF1000V N-Channel MOSFETFEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capabilityAPPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC)Device Marking and Package InformationDevice Package MarkingCS4N100F TO-220F C

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History: AOD2904 | 2SK526

 

 
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