CS4N90P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: CS4N90P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 70 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 71 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET CS4N90P

CS4N90P Datasheet (PDF)

..1. Size:659K convert
cs4n90f cs4n90p.pdf

nvertSuzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd.CS4N90F, CS4N90P900V N-Channel MOSFETFEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capabilityAPPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC)Device Marking and Package InformationDevice Package MarkingCS4N90F TO-220F CS4N90FCS4N9

8.1. Size:1165K jilin sino
jcs4n90va jcs4n90ra jcs4n90sa jcs4n90fa jcs4n90ca.pdf

N RN-CHANNEL MOSFET JCS4N90A MAIN CHARACTERISTICS Package ID 4.0 A VDSS 900 V RdsonVgs=10V 3.3 -MAX Qg-Typ 14.7nC APPLICATIONS High efficiency switch mode . power supplies Electronic lamp ballasts based on half bridge LED power suppli

8.2. Size:1046K jilin sino
jcs4n90fh jcs4n90rh jcs4n90vh.pdf

N RN-CHANNEL MOSFET CSJ 4N90H Package MAIN CHARACTERISTICS ID 4 4 4A VDSS 900 V Rdson_max 5.5 Vgs=10V Qg-typ 7 nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: CS5N90

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: