CS7N55P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CS7N55P
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 70 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 550 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 7 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 19 nC
Tiempo de subida (tr): 19 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 71 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 1.3 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220
Búsqueda de reemplazo de MOSFET CS7N55P
CS7N55P Datasheet (PDF)
cs7n55f cs7n55p.pdf
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nvertSuzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd.CS7N55F, CS7N55P550V N-Channel MOSFETFEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capabilityAPPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC)Device Marking and Package InformationDevice Package MarkingCS7N55F TO-220F CS7N55FCS7N5
Otros transistores... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , AON7410 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .