CS7N55P. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CS7N55P

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 550 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 71 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.3 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для CS7N55P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS7N55P даташит

 ..1. Size:658K  convert
 cs7n55f cs7n55p.pdf pdf_icon

CS7N55P

nvert Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd. CS7N55F, CS7N55P 550V N-Channel MOSFET FEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capability APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) Device Marking and Package Information Device Package Marking CS7N55F TO-220F CS7N55F CS7N5

Другие IGBT... CS6N70K, CS6N70U, CS6N70D, CS6N90F, CS6N90P, CS6N90B, CS6N90W, CS7N55F, 18N50, CS7N60CF, CS7N60CP, CS7N60CU, CS7N60CD, CS7N60P, CS7N65CF, CS7N65CP, CS7N65CU