CS7N60CD MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CS7N60CD
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 30 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 97 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET CS7N60CD
CS7N60CD Datasheet (PDF)
cs7n60cf cs7n60cp cs7n60cu cs7n60cd.pdf
nvertCS7N60CF,CS7N60CP,CS7N60CU,CS7N60CDSuzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd.600V N-Channel MOSFETFEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capabilityAPPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC)Device Marking and Package InformationDevice Package MarkingCS7N60CF TO
jcs7n60s jcs7n60b jcs7n60c jcs7n60f.pdf
N lSX:_W:WHe^vfSO{RN-CHANNEL MOSFETJCS7N60 \ Package ;NSpe MAIN CHARACTERISTICS ID 7.0 A 600 V VDSS 1.2 &! Rdson@Vgs=10V54 nC Qg APPLICATIONS (u High efficiency switch
jcs7n60bb jcs7n60sb jcs7n60cb jcs7n60fb.pdf
N RN-CHANNEL MOSFET JCS7N60B MAIN CHARACTERISTICS Package ID 7.0 A VDSS 600 V Rdson-max 1.2 @Vgs=10V Qg-typ 25 nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge L
jcs7n60v jcs7n60r jcs7n60f jcs7n60c jcs7n60b jcs7n60s.pdf
N RN-CHANNEL MOSFET JCS7N60E MAIN CHARACTERISTICS Package ID 7.0 A VDSS 600 V Rdson-max1.0 @Vgs=10V Qg-typ 23 nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply Electronic ballast LED LED power supply
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Liste
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