CS7N60CD. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CS7N60CD

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 97 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для CS7N60CD

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS7N60CD даташит

 ..1. Size:459K  convert
 cs7n60cf cs7n60cp cs7n60cu cs7n60cd.pdf pdf_icon

CS7N60CD

nvert CS7N60CF,CS7N60CP,CS7N60CU,CS7N60CD Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd. 600V N-Channel MOSFET FEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capability APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) Device Marking and Package Information Device Package Marking CS7N60CF TO

 7.1. Size:755K  jilin sino
 jcs7n60s jcs7n60b jcs7n60c jcs7n60f.pdf pdf_icon

CS7N60CD

 7.2. Size:904K  jilin sino
 jcs7n60bb jcs7n60sb jcs7n60cb jcs7n60fb.pdf pdf_icon

CS7N60CD

N R N-CHANNEL MOSFET JCS7N60B MAIN CHARACTERISTICS Package ID 7.0 A VDSS 600 V Rdson-max 1.2 @Vgs=10V Qg-typ 25 nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge L

 7.3. Size:1774K  jilin sino
 jcs7n60v jcs7n60r jcs7n60f jcs7n60c jcs7n60b jcs7n60s.pdf pdf_icon

CS7N60CD

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... CS6N90P, CS6N90B, CS6N90W, CS7N55F, CS7N55P, CS7N60CF, CS7N60CP, CS7N60CU, STF13NM60N, CS7N60P, CS7N65CF, CS7N65CP, CS7N65CU, CS7N65CD, CS7N65F, CS7N65P, CS7N65K