CS9N65F Todos los transistores

 

CS9N65F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CS9N65F
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 116 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.95 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220F
 

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CS9N65F Datasheet (PDF)

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CS9N65F

nvertSuzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd.CS9N65F, CS9N65D650V N-Channel MOSFETFEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capabilityAPPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC)Device Marking and Package InformationDevice Package MarkingCS9N65F TO-220F CS9N65FCS9N6

Otros transistores... CS8N60D , CS8N65F-B , CS8N65F , CS8N65P , CS8N65D , CS8N70F , CS8N90F , CS8N90P , AO4468 , CS9N65D , CS9N80F , CS9N80P , CS9N90F , CS9N90P , CS9N90W , CS9N90V , CS9N95F .

History: NP82N055NHE | SLW9N90C | TT8K11 | BSO200P03S

 

 
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