Справочник MOSFET. CS9N65F

 

CS9N65F Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CS9N65F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 116 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.95 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для CS9N65F

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS9N65F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:403K  convert
 cs9n65f cs9n65d.pdf pdf_icon

CS9N65F

nvertSuzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd.CS9N65F, CS9N65D650V N-Channel MOSFETFEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capabilityAPPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC)Device Marking and Package InformationDevice Package MarkingCS9N65F TO-220F CS9N65FCS9N6

Другие MOSFET... CS8N60D , CS8N65F-B , CS8N65F , CS8N65P , CS8N65D , CS8N70F , CS8N90F , CS8N90P , AO4468 , CS9N65D , CS9N80F , CS9N80P , CS9N90F , CS9N90P , CS9N90W , CS9N90V , CS9N95F .

History: FDFME2P823ZT | NCE60H15AD | MP15N60EIC | IXTQ26N50P | OSG70R1KPF | CS7N70F

 

 
Back to Top

 


 
.