CSFR2N60D Todos los transistores

 

CSFR2N60D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CSFR2N60D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 6.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 28 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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CSFR2N60D Datasheet (PDF)

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 csfr2n60f csfr2n60p csfr2n60u csfr2n60d.pdf pdf_icon

CSFR2N60D

CSFR2N60F,CSFR2N60PnvertSuzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd.CSFR2N60U,CSFR2N60D600V N-Channel MOSFETFEATURES Fast switching Integrate fast recovery diode Fast switching speed 100% avalanche tested Improved dv/dt capabilityAPPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Motor Controls Power Factor Correction (PFC)Device Marking and Package In

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 csfr20n60f.pdf pdf_icon

CSFR2N60D

nvertCSFR20N60FSuzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd.600V N-Channel MOSFETFEATURES Fast switching Integrate fast recovery diode Fast switching speed 100% avalanche tested Improved dv/dt capabilityAPPLICATIONSSwitch Mode Power Supply (SMPS) Motor Controls Power Factor Correction (PFC)Device Marking and Package InformationDevice Package Marki

Otros transistores... CSB08N6P5 , CSD03N6P3 , CSD08N6P5 , CSFR12N60F , CSFR20N60F , CSFR2N60F , CSFR2N60P , CSFR2N60U , IRF630 , CSFR3N60F , CSFR3N60P , CSFR3N60U , CSFR3N60D , CSFR3N60LF , CSFR3N60LP , CSFR3N60LU , CSFR3N60LD .

History: C3M0065100K | VBE165R07

 

 
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