CSFR2N60D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CSFR2N60D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 28 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для CSFR2N60D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CSFR2N60D даташит

 ..1. Size:710K  convert
 csfr2n60f csfr2n60p csfr2n60u csfr2n60d.pdf pdf_icon

CSFR2N60D

CSFR2N60F,CSFR2N60P nvert Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd. CSFR2N60U,CSFR2N60D 600V N-Channel MOSFET FEATURES Fast switching Integrate fast recovery diode Fast switching speed 100% avalanche tested Improved dv/dt capability APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Motor Controls Power Factor Correction (PFC) Device Marking and Package In

 9.1. Size:618K  convert
 csfr20n60f.pdf pdf_icon

CSFR2N60D

nvert CSFR20N60F Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd. 600V N-Channel MOSFET FEATURES Fast switching Integrate fast recovery diode Fast switching speed 100% avalanche tested Improved dv/dt capability APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Motor Controls Power Factor Correction (PFC) Device Marking and Package Information Device Package Marki

Другие IGBT... CSB08N6P5, CSD03N6P3, CSD08N6P5, CSFR12N60F, CSFR20N60F, CSFR2N60F, CSFR2N60P, CSFR2N60U, IRF640N, CSFR3N60F, CSFR3N60P, CSFR3N60U, CSFR3N60D, CSFR3N60LF, CSFR3N60LP, CSFR3N60LU, CSFR3N60LD