CSFR3N60LD MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: CSFR3N60LD
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 12 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 36 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.8 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET CSFR3N60LD

CSFR3N60LD Datasheet (PDF)

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csfr3n60lf csfr3n60lp csfr3n60lu csfr3n60ld.pdf

CSFR3N60LF,CSFR3N60LPnvertSuzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd.CSFR3N60LU,CSFR3N60LD600V N-Channel MOSFETFEATURES Fast switching Integrate fast recovery diode Fast switching speed 100% avalanche tested Improved dv/dt capabilityAPPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Motor Controls Power Factor Correction (PFC)Device Marking and Packag

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csfr3n60f csfr3n60p csfr3n60u csfr3n60d.pdf

CSFR3N60F,CSFR3N60PnvertSuzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd.CSFR3N60U,CSFR3N60D600V N-Channel MOSFETFEATURES Fast switching Integrate fast recovery diode Fast switching speed 100% avalanche tested Improved dv/dt capabilityAPPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Motor Controls Power Factor Correction (PFC)Device Marking and Package In

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Liste

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