CSFR3N60LD Todos los transistores

 

CSFR3N60LD MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CSFR3N60LD
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 36 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.8 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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CSFR3N60LD Datasheet (PDF)

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 csfr3n60lf csfr3n60lp csfr3n60lu csfr3n60ld.pdf pdf_icon

CSFR3N60LD

CSFR3N60LF,CSFR3N60LPnvertSuzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd.CSFR3N60LU,CSFR3N60LD600V N-Channel MOSFETFEATURES Fast switching Integrate fast recovery diode Fast switching speed 100% avalanche tested Improved dv/dt capabilityAPPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Motor Controls Power Factor Correction (PFC)Device Marking and Packag

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 csfr3n60f csfr3n60p csfr3n60u csfr3n60d.pdf pdf_icon

CSFR3N60LD

CSFR3N60F,CSFR3N60PnvertSuzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd.CSFR3N60U,CSFR3N60D600V N-Channel MOSFETFEATURES Fast switching Integrate fast recovery diode Fast switching speed 100% avalanche tested Improved dv/dt capabilityAPPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Motor Controls Power Factor Correction (PFC)Device Marking and Package In

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History: SI4856DY | 25N06 | HM50N20 | FK10KM-10 | AUIRFN7107 | IRFS7434-7PPBF

 

 
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