CSFR4N60D Todos los transistores

 

CSFR4N60D MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CSFR4N60D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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CSFR4N60D datasheet

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CSFR4N60D

CSFR4N60F,CSFR4N60P nvert Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd. CSFR4N60U,CSFR4N60D 600V N-Channel MOSFET FEATURES Fast switching Integrate fast recovery diode Fast switching speed 100% avalanche tested Improved dv/dt capability APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) Device Ma

Otros transistores... CSFR3N60D , CSFR3N60LF , CSFR3N60LP , CSFR3N60LU , CSFR3N60LD , CSFR4N60F , CSFR4N60P , CSFR4N60U , IRFP250N , CSFR6N60F , CSFR6N60K , CSFR6N60U , CSFR6N60D , CSFR6N70F , CSFR6N70K , CSFR6N70U , CSFR6N70D .

 

 
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