CSFR4N60D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CSFR4N60D
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.4 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
Búsqueda de reemplazo de CSFR4N60D MOSFET
CSFR4N60D Datasheet (PDF)
csfr4n60f csfr4n60p csfr4n60u csfr4n60d.pdf

CSFR4N60F,CSFR4N60PnvertSuzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd.CSFR4N60U,CSFR4N60D600V N-Channel MOSFETFEATURES Fast switching Integrate fast recovery diode Fast switching speed 100% avalanche tested Improved dv/dt capabilityAPPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC)Device Ma
Otros transistores... CSFR3N60D , CSFR3N60LF , CSFR3N60LP , CSFR3N60LU , CSFR3N60LD , CSFR4N60F , CSFR4N60P , CSFR4N60U , AON7408 , CSFR6N60F , CSFR6N60K , CSFR6N60U , CSFR6N60D , CSFR6N70F , CSFR6N70K , CSFR6N70U , CSFR6N70D .
History: MP10N50EI | PMN20EN | TSP740MR | MG120R080 | IXFR48N60P | AP4438GYT-HF | SQ4917EY
History: MP10N50EI | PMN20EN | TSP740MR | MG120R080 | IXFR48N60P | AP4438GYT-HF | SQ4917EY



Liste
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