CSFR7N60K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CSFR7N60K
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 97 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 600 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 7 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 28 nC
Tiempo de subida (tr): 14 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 92 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 1.3 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-262
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CSFR7N60K Datasheet (PDF)
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CSFR7N60F, CSFR7N60K, nvertSuzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd.CSFR7N60D,CSFR7N60U600V N-Channel MOSFETFEATURES Fast switching Integrate fast recovery diode Fast switching speed 100% avalanche tested Improved dv/dt capabilityAPPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Motor Controls Power Factor Correction (PFC)Device Marking and Package
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