CSN03N2P2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: CSN03N2P2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 91 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 155 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.3 V
   Carga de la puerta (Qg): 42 nC
   Tiempo de subida (tr): 6 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1588 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0022 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6

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CSN03N2P2 Datasheet (PDF)

..1. Size:932K 1
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CSN03N2P230V N-Channel Split Gate MOSFETFEATURESl Super Low Gate Chargel 100% EAS Guaranteedl RoHS compliantl Green Device Availablel Excellent CdV/dt effect declinel Advanced high cell density Trench technologyAPPLICATIONSlDC/DC Converterl Ideal for high-frequency switching a n d synchronous rectificationDevice Marking and Package InformationDevice Package Marking

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8.1. Size:699K 1
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nvertCSN03N3P9Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd.30V N-Channel Split Gate Trench MOSFETFEATURES Super Low Gate Charge 100% EAS Guaranteed RoHS compliant Green Device Available Excellent CdV/dt effect decline Advanced high cell density Trench technologyAPPLICATIONS DC/DC ConverterIdeal for high-frequency switching and synchronousrectificati

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Liste

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