CSN04N1P5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: CSN04N1P5
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 125 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 40 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 180 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.3 V
   Carga de la puerta (Qg): 45 nC
   Tiempo de subida (tr): 9 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1119 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0015 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET CSN04N1P5

CSN04N1P5 Datasheet (PDF)

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csn04n1p5.pdf

CSN04N1P540V N-Channel Split Gate MOSFETFEATURESl Super Low Gate Chargel 100% EAS Guaranteedl RoHS compliantl Green Device Availablel Excellent CdV/dt effect declinel Advanced high cell density Trench technologyAPPLICATIONSlDC/DC Converterl Ideal for high-frequency switching and synchronous rectificationDevice Marking and Package InformationDevice Package MarkingCS

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