CSNC04N8P5 Todos los transistores

 

CSNC04N8P5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CSNC04N8P5
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 62.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 193 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0085 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN3X3
 

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CSNC04N8P5 Datasheet (PDF)

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CSNC04N8P5

nvertCSNC04N8P5Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd.40V N-Channel Split Gate MOSFETFEATURESSuper Low Gate Charge 100% EAS Guaranteed RoHS compliant Green Device Available Excellent CdV/dt effect decline Advanced high cell density Trench technologyAPPLICATIONSDC/DC ConverterIdeal for high-frequency switching andsynchronous rectificationDevi

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CSNC04N8P5

nvertCSNC04N8P5Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd.40V N-Channel Split Gate MOSFETFEATURESSuper Low Gate Charge 100% EAS Guaranteed RoHS compliant Green Device Available Excellent CdV/dt effect decline Advanced high cell density Trench technologyAPPLICATIONSDC/DC ConverterIdeal for high-frequency switching andsynchronous rectificationDevi

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History: OSG65R900AF | SSM6K06FU | LNND04R120 | P4004ED

 

 
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