CSNC04N8P5. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CSNC04N8P5

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 193 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm

Тип корпуса: DFN3X3

Аналог (замена) для CSNC04N8P5

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CSNC04N8P5 даташит

 ..1. Size:615K  1
 csnc04n8p5.pdf pdf_icon

CSNC04N8P5

nvert CSNC04N8P5 Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd. 40V N-Channel Split Gate MOSFET FEATURES Super Low Gate Charge 100% EAS Guaranteed RoHS compliant Green Device Available Excellent CdV/dt effect decline Advanced high cell density Trench technology APPLICATIONS DC/DC Converter Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification Devi

 ..2. Size:615K  convert
 csnc04n8p5.pdf pdf_icon

CSNC04N8P5

nvert CSNC04N8P5 Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd. 40V N-Channel Split Gate MOSFET FEATURES Super Low Gate Charge 100% EAS Guaranteed RoHS compliant Green Device Available Excellent CdV/dt effect decline Advanced high cell density Trench technology APPLICATIONS DC/DC Converter Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification Devi

Другие IGBT... CSFR7N60F, CSFR7N60K, CSFR7N60D, CSFR7N60U, CSN03N2P2, CSN03N3P9, CSN04N1P5, CSN06N3P6, 13N50, CSP08N6P5, CSP10N4P2, CSP10N8P3, CST08N50U, CST08N50D, CST08N50F, CST1N50DLU, CST1N50DLD