CSNC04N8P5 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: CSNC04N8P5
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 5.6 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 193 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm
Тип корпуса: DFN3X3
Аналог (замена) для CSNC04N8P5
CSNC04N8P5 Datasheet (PDF)
csnc04n8p5.pdf
nvertCSNC04N8P5Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd.40V N-Channel Split Gate MOSFETFEATURESSuper Low Gate Charge 100% EAS Guaranteed RoHS compliant Green Device Available Excellent CdV/dt effect decline Advanced high cell density Trench technologyAPPLICATIONSDC/DC ConverterIdeal for high-frequency switching andsynchronous rectificationDevi
csnc04n8p5.pdf
nvertCSNC04N8P5Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd.40V N-Channel Split Gate MOSFETFEATURESSuper Low Gate Charge 100% EAS Guaranteed RoHS compliant Green Device Available Excellent CdV/dt effect decline Advanced high cell density Trench technologyAPPLICATIONSDC/DC ConverterIdeal for high-frequency switching andsynchronous rectificationDevi
Другие MOSFET... CSFR7N60F , CSFR7N60K , CSFR7N60D , CSFR7N60U , CSN03N2P2 , CSN03N3P9 , CSN04N1P5 , CSN06N3P6 , TK10A60D , CSP08N6P5 , CSP10N4P2 , CSP10N8P3 , CST08N50U , CST08N50D , CST08N50F , CST1N50DLU , CST1N50DLD .
History: NCEP8818AS | 2SK1426
History: NCEP8818AS | 2SK1426
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
k3563 | d882p | 2sb1560 | 2n1304 | 2sa979 | 2sc4793 | d965 | mje15031