CSNC04N8P5 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: CSNC04N8P5
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
trⓘ - Время нарастания: 5.6 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 193 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm
Тип корпуса: DFN3X3
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
CSNC04N8P5 Datasheet (PDF)
csnc04n8p5.pdf
nvertCSNC04N8P5Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd.40V N-Channel Split Gate MOSFETFEATURESSuper Low Gate Charge 100% EAS Guaranteed RoHS compliant Green Device Available Excellent CdV/dt effect decline Advanced high cell density Trench technologyAPPLICATIONSDC/DC ConverterIdeal for high-frequency switching andsynchronous rectificationDevi
csnc04n8p5.pdf
nvertCSNC04N8P5Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd.40V N-Channel Split Gate MOSFETFEATURESSuper Low Gate Charge 100% EAS Guaranteed RoHS compliant Green Device Available Excellent CdV/dt effect decline Advanced high cell density Trench technologyAPPLICATIONSDC/DC ConverterIdeal for high-frequency switching andsynchronous rectificationDevi
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: AOTF8N60 | 20N70KL-TF2-T
History: AOTF8N60 | 20N70KL-TF2-T
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
k3563 | d882p | 2sb1560 | 2n1304 | 2sa979 | 2sc4793 | d965 | mje15031