CST30N10U Todos los transistores

 

CST30N10U MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CST30N10U
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 110 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 82 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 608 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.038 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-251
 

 Búsqueda de reemplazo de CST30N10U MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

CST30N10U Datasheet (PDF)

 ..1. Size:662K  convert
 cst30n10f cst30n10u cst30n10d cst30n10p.pdf pdf_icon

CST30N10U

CST30N10F,CST30N10U,nvertSuzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd.CST30N10D,CST30N10P100V N-Channel MOSFETFEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capabilityAPPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS)Device Marking and Package InformationDevice Package MarkingCST30N10F TO-220F CST30N10FCST30N10D T

Otros transistores... CSP10N8P3 , CST08N50U , CST08N50D , CST08N50F , CST1N50DLU , CST1N50DLD , CST1N50DLF , CST30N10F , 20N50 , CST30N10D , CST30N10P , CST9N20LF , CST9N20LP , CTB06N005 , CTP06N005 , CTD02N004 , CTD02N007 .

History: KI2304DS | HSU80N03 | IPB120P04P4L-03

 

 
Back to Top

 


 
.