CST30N10U MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: CST30N10U
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 110 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 30 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1.6 V
   Carga de la puerta (Qg): 60 nC
   Tiempo de subida (tr): 82 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 608 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.038 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-251

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CST30N10U Datasheet (PDF)

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cst30n10f cst30n10u cst30n10d cst30n10p.pdf

CST30N10F,CST30N10U,nvertSuzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd.CST30N10D,CST30N10P100V N-Channel MOSFETFEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capabilityAPPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS)Device Marking and Package InformationDevice Package MarkingCST30N10F TO-220F CST30N10FCST30N10D T

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

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