Справочник MOSFET. CST30N10U

 

CST30N10U MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: CST30N10U
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 110 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1.6 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 30 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 60 nC
   Время нарастания (tr): 82 ns
   Выходная емкость (Cd): 608 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.038 Ohm
   Тип корпуса: TO-251

 Аналог (замена) для CST30N10U

 

 

CST30N10U Datasheet (PDF)

 ..1. Size:662K  convert
 cst30n10f cst30n10u cst30n10d cst30n10p.pdf

CST30N10U CST30N10U

CST30N10F,CST30N10U,nvertSuzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd.CST30N10D,CST30N10P100V N-Channel MOSFETFEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capabilityAPPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS)Device Marking and Package InformationDevice Package MarkingCST30N10F TO-220F CST30N10FCST30N10D T

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top