CST9N20LF Todos los transistores

 

CST9N20LF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CST9N20LF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 34 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 96 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.3 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220F
 

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CST9N20LF Datasheet (PDF)

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CST9N20LF

CST9N20LF, CST9N20LPnvertSuzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd.CST9N20LU CST9N20LD200V N-Channel MOSFETFEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capabilityAPPLICATIONS Switch Mode Power (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS)Device Marking and Package InformationDevice Package MarkingCST9N20LF TO-220F CST9N20LFCST9N20LP TO-220 C

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History: IXTM6N80 | IXTM10N100 | IXTP160N085T

 

 
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