CST9N20LF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CST9N20LF

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 34 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 96 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.3 Ohm

Encapsulados: TO-220F

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CST9N20LF datasheet

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CST9N20LF

CST9N20LF, CST9N20LP nvert Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd. CST9N20LU CST9N20LD 200V N-Channel MOSFET FEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capability APPLICATIONS Switch Mode Power (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Device Marking and Package Information Device Package Marking CST9N20LF TO-220F CST9N20LF CST9N20LP TO-220 C

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