CST9N20LF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CST9N20LF
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 34 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 96 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.3 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220F
Búsqueda de reemplazo de CST9N20LF MOSFET
CST9N20LF Datasheet (PDF)
cst9n20lf cst9n20lp.pdf

CST9N20LF, CST9N20LPnvertSuzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd.CST9N20LU CST9N20LD200V N-Channel MOSFETFEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capabilityAPPLICATIONS Switch Mode Power (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS)Device Marking and Package InformationDevice Package MarkingCST9N20LF TO-220F CST9N20LFCST9N20LP TO-220 C
Otros transistores... CST08N50F , CST1N50DLU , CST1N50DLD , CST1N50DLF , CST30N10F , CST30N10U , CST30N10D , CST30N10P , P60NF06 , CST9N20LP , CTB06N005 , CTP06N005 , CTD02N004 , CTD02N007 , CTD02N4P8 , CTD03N003 , CTD03N005 .
History: 2SK4146-S19-AY | AP50T10GJ | HM6N80K | 2SK3652 | 2SK3835 | SVS70R600SE3
History: 2SK4146-S19-AY | AP50T10GJ | HM6N80K | 2SK3652 | 2SK3835 | SVS70R600SE3



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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