CST9N20LF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CST9N20LF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 96 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для CST9N20LF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CST9N20LF даташит

 ..1. Size:725K  convert
 cst9n20lf cst9n20lp.pdf pdf_icon

CST9N20LF

CST9N20LF, CST9N20LP nvert Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd. CST9N20LU CST9N20LD 200V N-Channel MOSFET FEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capability APPLICATIONS Switch Mode Power (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Device Marking and Package Information Device Package Marking CST9N20LF TO-220F CST9N20LF CST9N20LP TO-220 C

Другие IGBT... CST08N50F, CST1N50DLU, CST1N50DLD, CST1N50DLF, CST30N10F, CST30N10U, CST30N10D, CST30N10P, AO4407, CST9N20LP, CTB06N005, CTP06N005, CTD02N004, CTD02N007, CTD02N4P8, CTD03N003, CTD03N005