CTS03P015 Todos los transistores

 

CTS03P015 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CTS03P015
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 35.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 310 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8
     - Selección de transistores por parámetros

 

CTS03P015 Datasheet (PDF)

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CTS03P015

nvertCTS03P015Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd.30V P-Channel Trench MOSFETFEATURES Super Low Gate Charge 100% EAS Guaranteed RoHS compliant Green Device Available Excellent CdV/dt effect decline Advanced high cell density Trench technologyAPPLICATIONS Load switch Uninterruptible Power Supply (UPS) Pulse Width Modulation(PWM)Device M

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CTS03P015

nvertCTS03PP055Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd.P-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFETFEATURES Super Low Gate Charge 100% EAS Guaranteed RoHS compliant Green Device Available Excellent CdV/dt effect decline Advanced high cell density Trench technologyAPPLICATIONS Load Switch Power Management Pulse Width Modulation(PWM)D

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History: HGN035N08AL | WM02N08L | CP650

 

 
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