CTS03P015 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CTS03P015  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 310 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm

Тип корпуса: SOP-8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для CTS03P015

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CTS03P015 даташит

 ..1. Size:616K  convert
 cts03p015.pdf pdf_icon

CTS03P015

nvert CTS03P015 Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd. 30V P-Channel Trench MOSFET FEATURES Super Low Gate Charge 100% EAS Guaranteed RoHS compliant Green Device Available Excellent CdV/dt effect decline Advanced high cell density Trench technology APPLICATIONS Load switch Uninterruptible Power Supply (UPS) Pulse Width Modulation(PWM) Device M

 8.1. Size:724K  convert
 cts03pp055.pdf pdf_icon

CTS03P015

nvert CTS03PP055 Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd. P-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET FEATURES Super Low Gate Charge 100% EAS Guaranteed RoHS compliant Green Device Available Excellent CdV/dt effect decline Advanced high cell density Trench technology APPLICATIONS Load Switch Power Management Pulse Width Modulation(PWM) D

Другие IGBT... CTD10P650, CTN04N7P5, CTN04PN035, CTP03N2P7, CTP06N6P8, CTP10N066, CTP10P095, CTQ06N085, IRFB3206, CTS03PP055, CTU03N8P5, CTU10P060, CTU20N170, CTU20N700, CTZ2302A, CTZ2305A, CTZ2312A