CTS03PP055 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CTS03PP055

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 64 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 98 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.055 Ohm

Encapsulados: SOP-8

 Búsqueda de reemplazo de CTS03PP055 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

CTS03PP055 datasheet

 ..1. Size:724K  convert
 cts03pp055.pdf pdf_icon

CTS03PP055

nvert CTS03PP055 Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd. P-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET FEATURES Super Low Gate Charge 100% EAS Guaranteed RoHS compliant Green Device Available Excellent CdV/dt effect decline Advanced high cell density Trench technology APPLICATIONS Load Switch Power Management Pulse Width Modulation(PWM) D

 8.1. Size:616K  convert
 cts03p015.pdf pdf_icon

CTS03PP055

nvert CTS03P015 Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd. 30V P-Channel Trench MOSFET FEATURES Super Low Gate Charge 100% EAS Guaranteed RoHS compliant Green Device Available Excellent CdV/dt effect decline Advanced high cell density Trench technology APPLICATIONS Load switch Uninterruptible Power Supply (UPS) Pulse Width Modulation(PWM) Device M

Otros transistores... CTN04N7P5, CTN04PN035, CTP03N2P7, CTP06N6P8, CTP10N066, CTP10P095, CTQ06N085, CTS03P015, AOD4184A, CTU03N8P5, CTU10P060, CTU20N170, CTU20N700, CTZ2302A, CTZ2305A, CTZ2312A, CJ2324