CTS03PP055 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: CTS03PP055
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 6.8 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 64 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 98 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.055 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET CTS03PP055

CTS03PP055 Datasheet (PDF)

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nvertCTS03PP055Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd.P-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFETFEATURES Super Low Gate Charge 100% EAS Guaranteed RoHS compliant Green Device Available Excellent CdV/dt effect decline Advanced high cell density Trench technologyAPPLICATIONS Load Switch Power Management Pulse Width Modulation(PWM)D

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cts03p015.pdf

nvertCTS03P015Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd.30V P-Channel Trench MOSFETFEATURES Super Low Gate Charge 100% EAS Guaranteed RoHS compliant Green Device Available Excellent CdV/dt effect decline Advanced high cell density Trench technologyAPPLICATIONS Load switch Uninterruptible Power Supply (UPS) Pulse Width Modulation(PWM)Device M

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Liste

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