CTU20N700 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CTU20N700

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 42 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 34 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 130 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.7 Ohm

Encapsulados: TO-251

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CTU20N700 datasheet

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CTU20N700

nvert Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd. CTU20N700 200V N-Channel Trench MOSFET FEATURES Super Low Gate Charge 100% EAS Guaranteed Green Device Available Excellent CdV/dt effect decline Advanced high cell density Trench technology APPLICATIONS Power switching application Uninterruptible Power Supply Hard switched and high frequency circuits Dev

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CTU20N700

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