CTZ2305A Todos los transistores

 

CTZ2305A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CTZ2305A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 290 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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CTZ2305A Datasheet (PDF)

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CTZ2305A

nvertCTZ2305ASuzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd.20V P-Channel Trench MOSFETFEATURES Super Low Gate Charge RoHS compliant Green Device Available Excellent CdV/dt effect decline Advanced high cell density Trench technologyAPPLICATIONS Load Switch Power Management Pulse Width Modulation(PWM)Device Marking and Package InformationDevice Packa

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CTZ2305A

nvertCTZ2302ASuzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd.20V N-Channel Trench MOSFETFEATURES Super Low Gate Charge RoHS compliant Green Device Available Excellent CdV/dt effect decline Advanced high cell density Trench technologyAPPLICATIONS Load switch Battery protection Power managementDevice Marking and Package InformationDevice Package Markin

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CTZ2305A

nvertCTZ2312ASuzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd.20V N-Channel Trench MOSFETFEATURES Super Low Gate Charge 100% EAS Guaranteed RoHS compliant Green Device Available Excellent CdV/dt effect decline Advanced high cell density Trench technologyAPPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Corre

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History: STN2018 | VBM15R13 | TPD65R750C | FQB47P06TMAM002 | BSC026N02KS | HY18N20T | HAT2108R

 

 
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