CJ2324 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CJ2324

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 39 max nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 22 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.234 Ohm

Encapsulados: SOT23

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CJ2324 datasheet

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CJ2324

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CJ2324

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS CJ2321 P-Channel 20-V(D-S) MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX SOT-23 57m @-4.5V -20V 76m @-2.5V -2.9A 1. GATE 110m @-1.8V 2. SOURCE 3. DRAIN APPLICATION FEATURE PA Switch TrenchFET Power MOSFET Load Switch MARKING Equivalent Circuit Maximum ratings (Ta=25 unl

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