CJ2324 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CJ2324
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 39(max) nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 22 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.234 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23
Búsqueda de reemplazo de CJ2324 MOSFET
CJ2324 Datasheet (PDF)
cj2324.pdf
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETsCJ2324 N-Channel MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX SOT-23 234m@10V100V 267m@6V2A1. GATE 278m@4.5V 2. SOURCE 3. DRAIN FEATURE APPLICATION TrenchFET Power MOSFET DC/DC Converters Low RDS(ON) Load Switch Surface Mount Package LED Backlighting in LCD TVs
cj2321.pdf
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS CJ2321 P-Channel 20-V(D-S) MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX SOT-23 57m@-4.5V-20V 76m@-2.5V-2.9A1. GATE 110m@-1.8V 2. SOURCE 3. DRAIN APPLICATION FEATURE PA Switch TrenchFET Power MOSFET Load Switch MARKING Equivalent Circuit Maximum ratings (Ta=25 unl
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History: SVF3878PN | SVF3N80M
Liste
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