CJ2324 Todos los transistores

 

CJ2324 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CJ2324
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 39(max) nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 22 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.234 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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CJ2324 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1092K  jiangsu
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CJ2324

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETsCJ2324 N-Channel MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX SOT-23 234m@10V100V 267m@6V2A1. GATE 278m@4.5V 2. SOURCE 3. DRAIN FEATURE APPLICATION TrenchFET Power MOSFET DC/DC Converters Low RDS(ON) Load Switch Surface Mount Package LED Backlighting in LCD TVs

 9.1. Size:1198K  jiangsu
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CJ2324

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS CJ2321 P-Channel 20-V(D-S) MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX SOT-23 57m@-4.5V-20V 76m@-2.5V-2.9A1. GATE 110m@-1.8V 2. SOURCE 3. DRAIN APPLICATION FEATURE PA Switch TrenchFET Power MOSFET Load Switch MARKING Equivalent Circuit Maximum ratings (Ta=25 unl

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History: OSG60R070HSF | AP8205 | BUK763R8-80E | HCD6NC70S | HM4614 | AO4940

 

 
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