CJ3439KDW Todos los transistores

 

CJ3439KDW MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CJ3439KDW
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.75 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 4.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 13 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.38 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT363
 

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CJ3439KDW Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1018K  jiangsu
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CJ3439KDW

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-363 Plastic-Encapsulate MOSFETS CJ3439KDW N channel+P Channel MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX SOT-363 380m@ 4.5V20V 450m@2.5V0.75A800m@1.8V520m@-4.5V700m@-2.5V-20V-0.66A950m(TYP)@-1.8VFEATURE APPLICATION Surface Mount Package Load/ Power Switching Interfacing Switching Low RD

 9.1. Size:1024K  jiangsu
 cj3434.pdf pdf_icon

CJ3439KDW

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS CJ3434 N-Channel MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX SOT-23 m@10V4230V 44 m 5A@4.5Vm@2.5V50FEATURE APPLICATION TrenchFET Power MOSFET Ideal for Load Swith and Battery Low RDS(ON) Protection Applications Typical ESD Protection Equivalent Circuit MARKING D

Otros transistores... CTU20N700 , CTZ2302A , CTZ2305A , CTZ2312A , CJ2324 , CJ3134KDW , CJ3139KDW , CJ3434 , IRF540N , CJ4459 , CJ7252KDW , CJA03N10S , CJAA3134K , CJAA3139K , CJAB20N03 , CJAB20SN06 , CJAB25N03 .

History: HTD1K5N10 | QM3014M6 | BL7N60A-D

 

 
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