CJ3439KDW MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CJ3439KDW

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.75 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4.8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 13 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.38 Ohm

Encapsulados: SOT363

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CJ3439KDW datasheet

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CJ3439KDW

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-363 Plastic-Encapsulate MOSFETS CJ3439KDW N channel+P Channel MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX SOT-363 380m @ 4.5V 20V 450m @2.5V 0.75A 800m @1.8V 520m @-4.5V 700m @-2.5V -20 V -0.66A 950m (TYP)@-1.8V FEATURE APPLICATION Surface Mount Package Load/ Power Switching Interfacing Switching Low RD

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CJ3439KDW

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS CJ3434 N-Channel MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX SOT-23 m @10V 42 30V 44 m 5A @4.5V m @2.5V 50 FEATURE APPLICATION TrenchFET Power MOSFET Ideal for Load Swith and Battery Low RDS(ON) Protection Applications Typical ESD Protection Equivalent Circuit MARKING D

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