CJ3439KDW MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: CJ3439KDW
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.75 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 4.8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 13 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm
Тип корпуса: SOT363
CJ3439KDW Datasheet (PDF)
cj3439kdw.pdf
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-363 Plastic-Encapsulate MOSFETS CJ3439KDW N channel+P Channel MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX SOT-363 380m@ 4.5V20V 450m@2.5V0.75A800m@1.8V520m@-4.5V700m@-2.5V-20V-0.66A950m(TYP)@-1.8VFEATURE APPLICATION Surface Mount Package Load/ Power Switching Interfacing Switching Low RD
cj3434.pdf
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS CJ3434 N-Channel MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX SOT-23 m@10V4230V 44 m 5A@4.5Vm@2.5V50FEATURE APPLICATION TrenchFET Power MOSFET Ideal for Load Swith and Battery Low RDS(ON) Protection Applications Typical ESD Protection Equivalent Circuit MARKING D
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918