CJ3439KDW. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CJ3439KDW

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.75 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 13 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm

Тип корпуса: SOT363

Аналог (замена) для CJ3439KDW

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CJ3439KDW даташит

 ..1. Size:1018K  jiangsu
 cj3439kdw.pdf pdf_icon

CJ3439KDW

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-363 Plastic-Encapsulate MOSFETS CJ3439KDW N channel+P Channel MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX SOT-363 380m @ 4.5V 20V 450m @2.5V 0.75A 800m @1.8V 520m @-4.5V 700m @-2.5V -20 V -0.66A 950m (TYP)@-1.8V FEATURE APPLICATION Surface Mount Package Load/ Power Switching Interfacing Switching Low RD

 9.1. Size:1024K  jiangsu
 cj3434.pdf pdf_icon

CJ3439KDW

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS CJ3434 N-Channel MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX SOT-23 m @10V 42 30V 44 m 5A @4.5V m @2.5V 50 FEATURE APPLICATION TrenchFET Power MOSFET Ideal for Load Swith and Battery Low RDS(ON) Protection Applications Typical ESD Protection Equivalent Circuit MARKING D

Другие IGBT... CTU20N700, CTZ2302A, CTZ2305A, CTZ2312A, CJ2324, CJ3134KDW, CJ3139KDW, CJ3434, IRF540, CJ4459, CJ7252KDW, CJA03N10S, CJAA3134K, CJAA3139K, CJAB20N03, CJAB20SN06, CJAB25N03