CJA03N10S MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CJA03N10S

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 6.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 38 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.14 Ohm

Encapsulados: SOT89

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CJA03N10S datasheet

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CJA03N10S

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-89-3L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJA03N10S N-Channel MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX SOT-89-3L 100V 3A 140m @ 10V DESCRIPTION 1. GATE The CJA03N10S uses advanced trench technology and design to 2. DRAIN provide excellent RDS(ON) with low gate charge .This device is suitable for 3. SOURCE use in a wide variety of app

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CJA03N10S

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-89-3L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJA03N10 N-Channel MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX SOT-89-3L 100V 3A 140m @ 10V 1. GATE 2. DRAIN DESCRIPTION 3. SOURCE The CJA03N10 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge .This device is suitable for use in a wide variety of

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CJA03N10S

MOSFET CJA03N10-HF N-Channel RoHS Device Halogen Free 1 Gate SOT-89-3L Features 2 Drain 3 Source 0.181(4.60) -Special process technology for high ESD capability. 0.173(4.40) 0.061(1.55) -High density cell design for extremely low RDS(ON). REF. -Good stability and uniformity with high EAS. 0.102(2.60) 0.167(4.25) -Excellent package for good heat dissipation. 0.091(2.3

Otros transistores... CTZ2312A, CJ2324, CJ3134KDW, CJ3139KDW, CJ3434, CJ3439KDW, CJ4459, CJ7252KDW, IRFZ44, CJAA3134K, CJAA3139K, CJAB20N03, CJAB20SN06, CJAB25N03, CJAB25N04, CJAB25P03, CJAB25SN06