CJA03N10S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CJA03N10S
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 6.5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 38 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.14 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT89
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CJA03N10S Datasheet (PDF)
cja03n10s.pdf
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-89-3L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJA03N10S N-Channel MOSFETID V(BR)DSS RDS(on)MAX SOT-89-3L 100V3A140m@ 10VDESCRIPTION 1. GATE The CJA03N10S uses advanced trench technology and design to 2. DRAIN provide excellent RDS(ON) with low gate charge .This device is suitable for 3. SOURCE use in a wide variety of app
cja03n10.pdf
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-89-3L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJA03N10 N-Channel MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX SOT-89-3L 100V3A140m@ 10V1. GATE 2. DRAIN DESCRIPTION 3. SOURCE The CJA03N10 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge .This device is suitable for use in a wide variety of
cja03n10-hf.pdf
MOSFETCJA03N10-HFN-ChannelRoHS DeviceHalogen Free 1 : Gate SOT-89-3LFeatures2 : Drain3 : Source0.181(4.60) -Special process technology for high ESD capability.0.173(4.40)0.061(1.55) -High density cell design for extremely low RDS(ON).REF. -Good stability and uniformity with high EAS.0.102(2.60) 0.167(4.25) -Excellent package for good heat dissipation. 0.091(2.3
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Liste
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