CJA03N10S MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: CJA03N10S
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 6.5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 38 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.14 Ohm
Тип корпуса: SOT89
CJA03N10S Datasheet (PDF)
cja03n10s.pdf
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-89-3L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJA03N10S N-Channel MOSFETID V(BR)DSS RDS(on)MAX SOT-89-3L 100V3A140m@ 10VDESCRIPTION 1. GATE The CJA03N10S uses advanced trench technology and design to 2. DRAIN provide excellent RDS(ON) with low gate charge .This device is suitable for 3. SOURCE use in a wide variety of app
cja03n10.pdf
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-89-3L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJA03N10 N-Channel MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX SOT-89-3L 100V3A140m@ 10V1. GATE 2. DRAIN DESCRIPTION 3. SOURCE The CJA03N10 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge .This device is suitable for use in a wide variety of
cja03n10-hf.pdf
MOSFETCJA03N10-HFN-ChannelRoHS DeviceHalogen Free 1 : Gate SOT-89-3LFeatures2 : Drain3 : Source0.181(4.60) -Special process technology for high ESD capability.0.173(4.40)0.061(1.55) -High density cell design for extremely low RDS(ON).REF. -Good stability and uniformity with high EAS.0.102(2.60) 0.167(4.25) -Excellent package for good heat dissipation. 0.091(2.3
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918