CJAB40N03 Todos los transistores

 

CJAB40N03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CJAB40N03

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 20 W

Tensión drenaje-fuente |Vds|: 30 V

Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 20 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 40 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 2.5 V

Carga de compuerta (Qg): 50 nC

Tiempo de elevación (tr): 36 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 228 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0065 Ohm

Empaquetado / Estuche: PDFNWB3.3X3.3-8L

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CJAB40N03 Datasheet (PDF)

0.1. cjab40n03.pdf Size:1352K _jiangsu

CJAB40N03
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JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFNWB3.33.3-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAB40N03 N-Channel Power MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX PDFNWB3.33.3-8L 6.5m@10V30 V40A10.5m@4.5VDESCRIPTION The CJAB40N03 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications

8.1. cjab40sn10.pdf Size:3938K _jiangsu

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JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFNWB3.33.3-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAB40SN10 N-Channel Power MOSFET PDFNWB3.33.3-8L ID V(BR)DSS RDS(on)TYP 8.5m@10V100V40A11m@4.5VDESCRIPTION The CJAB40SN10 uses SGT technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. FEATURES

 

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