CJAB40N03 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CJAB40N03  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 36 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 228 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0065 Ohm

Encapsulados: PDFNWB3.3X3.3-8L

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CJAB40N03 datasheet

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CJAB40N03

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFNWB3.3 3.3-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAB40N03 N-Channel Power MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX PDFNWB3.3 3.3-8L 6.5m @10V 30 V 40A 10.5m @4.5V DESCRIPTION The CJAB40N03 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications

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CJAB40N03

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFNWB3.3 3.3-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAB40N03 N-Channel Power MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX PDFNWB3.3 3.3-8L 6.5m @10V 30 V 40A 10.5m @4.5V DESCRIPTION The CJAB40N03 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications

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CJAB40N03

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFNWB3.3 3.3-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAB40SN10 N-Channel Power MOSFET PDFNWB3.3 3.3-8L ID V(BR)DSS RDS(on)TYP 8.5m @10V 100V 40A 11m @4.5V DESCRIPTION The CJAB40SN10 uses SGT technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. FEATURES

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CJAB40N03

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFNWB3.3 3.3-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAB40SN10 N-Channel Power MOSFET PDFNWB3.3 3.3-8L ID V(BR)DSS RDS(on)TYP 8.5m @10V 100V 40A 11m @4.5V DESCRIPTION The CJAB40SN10 uses SGT technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. FEATURES

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