Справочник MOSFET. CJAB40N03

 

CJAB40N03 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: CJAB40N03

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 20 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 40 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 50 nC

Время нарастания (tr): 36 ns

Выходная емкость (Cd): 228 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0065 Ohm

Тип корпуса: PDFNWB3.3X3.3-8L

Аналог (замена) для CJAB40N03

 

 

CJAB40N03 Datasheet (PDF)

0.1. cjab40n03.pdf Size:1352K _jiangsu

CJAB40N03
CJAB40N03

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFNWB3.33.3-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAB40N03 N-Channel Power MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX PDFNWB3.33.3-8L 6.5m@10V30 V40A10.5m@4.5VDESCRIPTION The CJAB40N03 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications

8.1. cjab40sn10.pdf Size:3938K _jiangsu

CJAB40N03
CJAB40N03

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFNWB3.33.3-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAB40SN10 N-Channel Power MOSFET PDFNWB3.33.3-8L ID V(BR)DSS RDS(on)TYP 8.5m@10V100V40A11m@4.5VDESCRIPTION The CJAB40SN10 uses SGT technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. FEATURES

 

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top