CJAB40N03 - описание и поиск аналогов

 

Аналоги CJAB40N03. Основные параметры


   Наименование производителя: CJAB40N03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 36 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 228 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm
   Тип корпуса: PDFNWB3.3X3.3-8L
 

 Аналог (замена) для CJAB40N03

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CJAB40N03 даташит

 ..1. Size:1352K  1
 cjab40n03.pdf pdf_icon

CJAB40N03

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFNWB3.3 3.3-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAB40N03 N-Channel Power MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX PDFNWB3.3 3.3-8L 6.5m @10V 30 V 40A 10.5m @4.5V DESCRIPTION The CJAB40N03 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications

 ..2. Size:1352K  jiangsu
 cjab40n03.pdf pdf_icon

CJAB40N03

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFNWB3.3 3.3-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAB40N03 N-Channel Power MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX PDFNWB3.3 3.3-8L 6.5m @10V 30 V 40A 10.5m @4.5V DESCRIPTION The CJAB40N03 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications

 8.1. Size:3938K  1
 cjab40sn10.pdf pdf_icon

CJAB40N03

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFNWB3.3 3.3-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAB40SN10 N-Channel Power MOSFET PDFNWB3.3 3.3-8L ID V(BR)DSS RDS(on)TYP 8.5m @10V 100V 40A 11m @4.5V DESCRIPTION The CJAB40SN10 uses SGT technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. FEATURES

 8.2. Size:3938K  jiangsu
 cjab40sn10.pdf pdf_icon

CJAB40N03

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFNWB3.3 3.3-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAB40SN10 N-Channel Power MOSFET PDFNWB3.3 3.3-8L ID V(BR)DSS RDS(on)TYP 8.5m @10V 100V 40A 11m @4.5V DESCRIPTION The CJAB40SN10 uses SGT technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. FEATURES

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... CJAA3139K , CJAB20N03 , CJAB20SN06 , CJAB25N03 , CJAB25N04 , CJAB25P03 , CJAB25SN06 , CJAB35P03 , 10N60 , CJAB40SN10 , CJAB55N03 , CJAB60N03 , CJAC0410 , CJAC100P03 , CJAC100SN08 , CJAC10H02 , CJAC10TH10 .

History: AGM304MNQ | FDC5661N-F085 | AGM1095MAP | BL50N30-W | AGM13T05A | APT1001R3BN | AGM1405F

 

 
Back to Top

 


 
.