CJAC110SN10 Todos los transistores

 

CJAC110SN10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CJAC110SN10
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 192 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 110 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 7.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 794 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.005 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFNWB5X6-8L
 

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CJAC110SN10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1662K  1
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CJAC110SN10

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFN 56-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAC110SN10 N-Channel Power MOSFETPDFN 56-8L V(BR)DSS RDS(on)TYP ID 100V 4.3m@10V 110ADESCRIPTION The CJAC110SN10 uses shielded gate trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications FEATURES Hig

 ..2. Size:1662K  jiangsu
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CJAC110SN10

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFN 56-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAC110SN10 N-Channel Power MOSFETPDFN 56-8L V(BR)DSS RDS(on)TYP ID 100V 4.3m@10V 110ADESCRIPTION The CJAC110SN10 uses shielded gate trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications FEATURES Hig

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CJAC110SN10

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFN 56-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAC110SN10A N-Channel Power MOSFETPDFN 56-8L V(BR)DSS RDS(onTYP ID 3.4m@10V100V 110A4.5m@4.5VDESCRIPTION The CJAC110SN10A uses shielded gate trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications FEA

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CJAC110SN10

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFN 56-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAC110N03 N-Channel Power MOSFETID V(BR)DSS RDS(on)TYPPDFN 56-8L 1.8m@10V30 V110A3.5m@4.5VDESCRIPTION FEATURES

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History: 2SK735 | VB2290 | NCEP60T18 | 10N60 | IXTH48N65X2

 

 
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