CJAC110SN10 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CJAC110SN10  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 192 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 110 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 794 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm

Тип корпуса: PDFNWB5X6-8L

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для CJAC110SN10

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CJAC110SN10 даташит

 ..1. Size:1662K  1
 cjac110sn10.pdf pdf_icon

CJAC110SN10

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFN 5 6-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAC110SN10 N-Channel Power MOSFET PDFN 5 6-8L V(BR)DSS RDS(on)TYP ID 100V 4.3m @10V 110A DESCRIPTION The CJAC110SN10 uses shielded gate trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications FEATURES Hig

 ..2. Size:1662K  jiangsu
 cjac110sn10.pdf pdf_icon

CJAC110SN10

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFN 5 6-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAC110SN10 N-Channel Power MOSFET PDFN 5 6-8L V(BR)DSS RDS(on)TYP ID 100V 4.3m @10V 110A DESCRIPTION The CJAC110SN10 uses shielded gate trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications FEATURES Hig

 0.1. Size:2395K  1
 cjac110sn10a.pdf pdf_icon

CJAC110SN10

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFN 5 6-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAC110SN10A N-Channel Power MOSFET PDFN 5 6-8L V(BR)DSS RDS(onTYP ID 3.4m @10V 100V 110A 4.5m @4.5V DESCRIPTION The CJAC110SN10A uses shielded gate trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications FEA

 7.1. Size:2101K  1
 cjac110n03.pdf pdf_icon

CJAC110SN10

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFN 5 6-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAC110N03 N-Channel Power MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)TYP PDFN 5 6-8L 1.8m @10V 30 V 110A 3.5m @4.5V DESCRIPTION FEATURES

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... CJAB55N03, CJAB60N03, CJAC0410, CJAC100P03, CJAC100SN08, CJAC10H02, CJAC10TH10, CJAC110N03, 2N7000, CJAC13TH06, CJAC150N03, CJAC20N03, CJAC20N10, CJAC40N04, CJAC50P03, CJAC70N03, CJAC75SN10