CJAC20N10 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

CJAC20N10 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CJAC20N10

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 10 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.031 Ohm

Encapsulados: PDFNWB5X6-8L

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CJAC20N10 datasheet

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JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFNWB5X6-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAC20N10 N-Channel Power MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX PDFNWB5 6-8L 31 10 20 40 DESCRIPTION This advanced high voltage MOSFET is designed to stand high energy in the avalanche mode and switch efficiently. This new high energy device also offers a dra

..2. Size:2232K jiangsu
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