CJAC40N04 Todos los transistores

 

CJAC40N04 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CJAC40N04
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 15 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 155 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0095 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFNWB5X6-8L
     - Selección de transistores por parámetros

 

CJAC40N04 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1392K  1
 cjac40n04.pdf pdf_icon

CJAC40N04

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFNWB56-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAC40N04 N-Channel Power MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX PDFN 56-8L 9.5m@10V40V 40A16m@4.5VDESCRIPTION The CJAC40N04 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications FEATURES

 ..2. Size:1392K  jiangsu
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CJAC40N04

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFNWB56-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAC40N04 N-Channel Power MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX PDFN 56-8L 9.5m@10V40V 40A16m@4.5VDESCRIPTION The CJAC40N04 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications FEATURES

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History: STL9N3LLH5 | IRFPC42R | SIHF9540S | HITJ0203MP | IRFB3077 | SPP80P06PH | IPN95R3K7P7

 

 
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