CJAC40N04 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CJAC40N04
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 15 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 155 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0095 Ohm
Encapsulados: PDFNWB5X6-8L
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CJAC40N04 datasheet
cjac40n04.pdf
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFNWB5 6-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAC40N04 N-Channel Power MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX PDFN 5 6-8L 9.5m @10V 40V 40A 16m @4.5V DESCRIPTION The CJAC40N04 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications FEATURES
cjac40n04.pdf
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFNWB5 6-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAC40N04 N-Channel Power MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX PDFN 5 6-8L 9.5m @10V 40V 40A 16m @4.5V DESCRIPTION The CJAC40N04 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications FEATURES
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