Справочник MOSFET. CJAC40N04

 

CJAC40N04 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CJAC40N04
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 15 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 155 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0095 Ohm
   Тип корпуса: PDFNWB5X6-8L
 

 Аналог (замена) для CJAC40N04

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CJAC40N04 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1392K  1
 cjac40n04.pdf pdf_icon

CJAC40N04

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFNWB56-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAC40N04 N-Channel Power MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX PDFN 56-8L 9.5m@10V40V 40A16m@4.5VDESCRIPTION The CJAC40N04 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications FEATURES

 ..2. Size:1392K  jiangsu
 cjac40n04.pdf pdf_icon

CJAC40N04

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFNWB56-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAC40N04 N-Channel Power MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX PDFN 56-8L 9.5m@10V40V 40A16m@4.5VDESCRIPTION The CJAC40N04 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications FEATURES

Другие MOSFET... CJAC10H02 , CJAC10TH10 , CJAC110N03 , CJAC110SN10 , CJAC13TH06 , CJAC150N03 , CJAC20N03 , CJAC20N10 , IRF4905 , CJAC50P03 , CJAC70N03 , CJAC75SN10 , CJAC80N03 , CJAC90SN12 , CJAE2002 , CJBA3134K , CJBA3139K .

History: NTD4863N-1G | IXTQ42N25P | SSM60T03J | P2806BD | IRFH7191 | HGI110N08AL | CS5N65A4

 

 
Back to Top

 


 
.