CJAC40N04. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CJAC40N04

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 15 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 155 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0095 Ohm

Тип корпуса: PDFNWB5X6-8L

Аналог (замена) для CJAC40N04

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CJAC40N04 даташит

 ..1. Size:1392K  1
 cjac40n04.pdf pdf_icon

CJAC40N04

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFNWB5 6-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAC40N04 N-Channel Power MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX PDFN 5 6-8L 9.5m @10V 40V 40A 16m @4.5V DESCRIPTION The CJAC40N04 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications FEATURES

 ..2. Size:1392K  jiangsu
 cjac40n04.pdf pdf_icon

CJAC40N04

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFNWB5 6-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAC40N04 N-Channel Power MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX PDFN 5 6-8L 9.5m @10V 40V 40A 16m @4.5V DESCRIPTION The CJAC40N04 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications FEATURES

Другие IGBT... CJAC10H02, CJAC10TH10, CJAC110N03, CJAC110SN10, CJAC13TH06, CJAC150N03, CJAC20N03, CJAC20N10, IRF4905, CJAC50P03, CJAC70N03, CJAC75SN10, CJAC80N03, CJAC90SN12, CJAE2002, CJBA3134K, CJBA3139K