CJAC80N03 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CJAC80N03

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 44 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 420 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0042 Ohm

Encapsulados: PDFNWB5X6-8L

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CJAC80N03 datasheet

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CJAC80N03

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CJAC80N03

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CJAC80N03

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFNWB5 6-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAC80SN10 N-Channel Power MOSFET PDFN 5 6-8L ID V(BR)DSS RDS(on)TYP 6.2m @10V 100 V 80A 8.8m @4.5V DESCRIPTION The CJAC80SN10 uses shielded gate trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications FEAT

Otros transistores... CJAC13TH06, CJAC150N03, CJAC20N03, CJAC20N10, CJAC40N04, CJAC50P03, CJAC70N03, CJAC75SN10, IRFP260, CJAC90SN12, CJAE2002, CJBA3134K, CJBA3139K, CJBA3541K, CJBA7002K, CJBB3134K, CJBB3139K