CJBA3139K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: CJBA3139K
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.66 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 5.7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 15 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.52 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN1006-3L

Búsqueda de reemplazo de MOSFET CJBA3139K

CJBA3139K Datasheet (PDF)

..1. Size:1591K jiangsu
cjba3139k.pdf

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD DFN1006-3L Plastic-Encapsulate MOSFETsCJBA3139K P-Channel MOSFETID V(BR)DSS RDS(on)MAX DFN1006-3L m@-4.5V520-20V-0.66Am@-2.5V780950m(TYP)@-1.8V FEATURE APPLICATION Lead Free Product is Acquired Load/ Power Switching Surface Mount Package Interfacing Switching P-Channel Switch with Low RDS(on)

7.1. Size:1392K jiangsu
cjba3134k.pdf

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD DFN1006-3L Plastic-Encapsulate MOSFETsCJBA3134K N-Channel MOSFETID V(BR)DSS RDS(on)MAX DFN1006-3L m@4.5V50020Vm@2.5V 0.75A700m@1.8V900FEATURE APPLICATION Lead Free Product is Acquired Load/ Power Switching Surface Mount Package Interfacing Switching N-Channel Switch with Low RDS(on) Ba

9.1. Size:474K jiangsu
cjba3541k.pdf

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD DFN1006-3L Plastic-Encapsulate MOSFETsCJBA3541K N-Channel MOSFETID V(BR)DSS RDS(on)MAX DFN1006-3L m@4.5V5000.6A30Vm@2.5V600FEATURE APPLICATION Lead Free Product is Acquired Load/ Power Switching Surface Mount Package Interfacing Switching N-Channel Switch with Low RDS(on) Battery Management for

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Liste

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