CJBA7002K MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CJBA7002K
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.1 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.41 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 4.95 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3.6 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm
Encapsulados: DFN1006-3
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CJBA7002K datasheet
cjba7002k.pdf
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD DFN1006-3L Plastic-Encapsulate MOSFETs CJBA7002K N-Channel MOSFET V(BR)DSS RDS(on)MAX ID DFN1006-3L 1.5 @10V 60V 0.41A 1.8 @4.5V FEATURE APPLICATION Low On-Resistance Load Switch Low Threshold Voltage Portable Applications Fast Switching Speed Power Management Functions ESD Protected Gate MARKI
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