CJBA7002K Todos los transistores

 

CJBA7002K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CJBA7002K
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.41 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 4.95 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3.6 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN1006-3L
 

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CJBA7002K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1820K  jiangsu
 cjba7002k.pdf pdf_icon

CJBA7002K

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD DFN1006-3L Plastic-Encapsulate MOSFETsCJBA7002K N-Channel MOSFETV(BR)DSS RDS(on)MAX ID DFN1006-3L 1.5@10V 60V 0.41A 1.8@4.5V FEATURE APPLICATION Low On-Resistance Load Switch Low Threshold Voltage Portable Applications Fast Switching Speed Power Management Functions ESD Protected GateMARKI

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History: SM2603PSC | 2SK1269 | S8045S | TMU3N50AZ | 2SK2884 | HMS18N10Q | TK11A60D

 

 
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