CJBA7002K. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CJBA7002K

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.41 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4.95 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 3.6 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm

Тип корпуса: DFN1006-3

Аналог (замена) для CJBA7002K

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CJBA7002K даташит

 ..1. Size:1820K  jiangsu
 cjba7002k.pdf pdf_icon

CJBA7002K

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD DFN1006-3L Plastic-Encapsulate MOSFETs CJBA7002K N-Channel MOSFET V(BR)DSS RDS(on)MAX ID DFN1006-3L 1.5 @10V 60V 0.41A 1.8 @4.5V FEATURE APPLICATION Low On-Resistance Load Switch Low Threshold Voltage Portable Applications Fast Switching Speed Power Management Functions ESD Protected Gate MARKI

Другие IGBT... CJAC70N03, CJAC75SN10, CJAC80N03, CJAC90SN12, CJAE2002, CJBA3134K, CJBA3139K, CJBA3541K, AON7410, CJBB3134K, CJBB3139K, CJBD3020, CJBE5005, CJBM3020, CEC2088E, CEC3172, CED20N02