CJBA7002K - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: CJBA7002K
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.41 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 4.95 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 3.6 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
Тип корпуса: DFN1006-3
Аналог (замена) для CJBA7002K
CJBA7002K Datasheet (PDF)
cjba7002k.pdf

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD DFN1006-3L Plastic-Encapsulate MOSFETsCJBA7002K N-Channel MOSFETV(BR)DSS RDS(on)MAX ID DFN1006-3L 1.5@10V 60V 0.41A 1.8@4.5V FEATURE APPLICATION Low On-Resistance Load Switch Low Threshold Voltage Portable Applications Fast Switching Speed Power Management Functions ESD Protected GateMARKI
Другие MOSFET... CJAC70N03 , CJAC75SN10 , CJAC80N03 , CJAC90SN12 , CJAE2002 , CJBA3134K , CJBA3139K , CJBA3541K , 5N60 , CJBB3134K , CJBB3139K , CJBD3020 , CJBE5005 , CJBM3020 , CEC2088E , CEC3172 , CED20N02 .
History: IRFB7730PBF
History: IRFB7730PBF



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: APJ10N65P | APJ10N65T | APJ10N65F | AP65R950 | APJ10N65D | APG80N10T | APG80N10P | APG80N10NF | APG60N10T | APG60N10P | AP100P02NF | AP100N08D | AP100N04NF | AP100N04D | AP100N03Y | AP100N03T
Popular searches
c536 transistor | 2n706 | 2n388 | 2n3645 | 2n1307 | 2sa747 | a1941 | 2sd424 datasheet