Справочник MOSFET. CJBA7002K

 

CJBA7002K Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CJBA7002K
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.41 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4.95 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 3.6 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
   Тип корпуса: DFN1006-3L
 

 Аналог (замена) для CJBA7002K

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CJBA7002K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1820K  jiangsu
 cjba7002k.pdf pdf_icon

CJBA7002K

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD DFN1006-3L Plastic-Encapsulate MOSFETsCJBA7002K N-Channel MOSFETV(BR)DSS RDS(on)MAX ID DFN1006-3L 1.5@10V 60V 0.41A 1.8@4.5V FEATURE APPLICATION Low On-Resistance Load Switch Low Threshold Voltage Portable Applications Fast Switching Speed Power Management Functions ESD Protected GateMARKI

Другие MOSFET... CJAC70N03 , CJAC75SN10 , CJAC80N03 , CJAC90SN12 , CJAE2002 , CJBA3134K , CJBA3139K , CJBA3541K , RFP50N06 , CJBB3134K , CJBB3139K , CJBD3020 , CJBE5005 , CJBM3020 , CEC2088E , CEC3172 , CED20N02 .

 

 
Back to Top

 


 
.