CJBA7002K MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: CJBA7002K
Маркировка: 72
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.3 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.41 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 1.41 nC
trⓘ - Время нарастания: 4.95 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 3.6 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
Тип корпуса: DFN1006-3L
CJBA7002K Datasheet (PDF)
cjba7002k.pdf
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD DFN1006-3L Plastic-Encapsulate MOSFETsCJBA7002K N-Channel MOSFETV(BR)DSS RDS(on)MAX ID DFN1006-3L 1.5@10V 60V 0.41A 1.8@4.5V FEATURE APPLICATION Low On-Resistance Load Switch Low Threshold Voltage Portable Applications Fast Switching Speed Power Management Functions ESD Protected GateMARKI
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918