CJBB3139K Todos los transistores

 

CJBB3139K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CJBB3139K
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.66 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5.7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 15 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.52 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN1006?3-A
 

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CJBB3139K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:791K  jiangsu
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CJBB3139K

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD DFN1006-3L-A Plastic-Encapsulate MOSFETsCJBB3139K P-Channel MOSFETID V(BR)DSS RDS(on)MAX DFN1006-3L-A m@-4.5V520-20V -0.66Am@-2.5V7803950m(TYP)@-1.8V 21FEATURE APPLICATION Lead Free Product is Acquired Load/ Power Switching Surface Mount Package Interfacing Switching P-Channel Switch with Low RDS

 7.1. Size:840K  jiangsu
 cjbb3134k.pdf pdf_icon

CJBB3139K

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD DFN1006-3L-A Plastic-Encapsulate MOSFETsCJBB3134K N-Channel MOSFETID V(BR)DSS RDS(on)MAX DFN1006-3L-A m@4.5V50020Vm@2.5V 0.75A7003m@1.8V90021FEATURE APPLICATION Lead Free Product is Acquired Load/ Power Switching Surface Mount Package Interfacing Switching N-Channel Switch with Low RDS(on)

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