CJBB3139K MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CJBB3139K
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.1 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.66 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 5.7 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 15 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.52 Ohm
Encapsulados: DFN1006?3-A
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CJBB3139K datasheet
cjbb3139k.pdf
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD DFN1006-3L-A Plastic-Encapsulate MOSFETs CJBB3139K P-Channel MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX DFN1006-3L-A m @-4.5V 520 -20V -0.66A m @-2.5V 780 3 950m (TYP)@-1.8V 2 1 FEATURE APPLICATION Lead Free Product is Acquired Load/ Power Switching Surface Mount Package Interfacing Switching P-Channel Switch with Low RDS
cjbb3134k.pdf
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD DFN1006-3L-A Plastic-Encapsulate MOSFETs CJBB3134K N-Channel MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX DFN1006-3L-A m @4.5V 500 20V m @2.5V 0.75A 700 3 m @1.8V 900 2 1 FEATURE APPLICATION Lead Free Product is Acquired Load/ Power Switching Surface Mount Package Interfacing Switching N-Channel Switch with Low RDS(on)
Otros transistores... CJAC80N03 , CJAC90SN12 , CJAE2002 , CJBA3134K , CJBA3139K , CJBA3541K , CJBA7002K , CJBB3134K , 5N65 , CJBD3020 , CJBE5005 , CJBM3020 , CEC2088E , CEC3172 , CED20N02 , CEU20N02 , CED25N02 .
History: WM02DH08T | WM05P20M
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: ASU70R600E | ASU65R850E | ASU65R550E | ASU65R350E | ASR65R120EFD | ASR65R046EFD | ASQ65R046EFD | ASM65R280E | ASM60R330E | ASE70R950E | ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E
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