CJBB3139K - Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: CJBB3139K
Маркировка: 39B
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.1 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.66 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 5.7 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 15 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.52 Ohm
Тип корпуса: DFN1006?3-A
Аналог (замена) для CJBB3139K
CJBB3139K технические параметры
cjbb3139k.pdf
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD DFN1006-3L-A Plastic-Encapsulate MOSFETs CJBB3139K P-Channel MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX DFN1006-3L-A m @-4.5V 520 -20V -0.66A m @-2.5V 780 3 950m (TYP)@-1.8V 2 1 FEATURE APPLICATION Lead Free Product is Acquired Load/ Power Switching Surface Mount Package Interfacing Switching P-Channel Switch with Low RDS
cjbb3134k.pdf
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD DFN1006-3L-A Plastic-Encapsulate MOSFETs CJBB3134K N-Channel MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX DFN1006-3L-A m @4.5V 500 20V m @2.5V 0.75A 700 3 m @1.8V 900 2 1 FEATURE APPLICATION Lead Free Product is Acquired Load/ Power Switching Surface Mount Package Interfacing Switching N-Channel Switch with Low RDS(on)
Другие MOSFET... CJAC80N03 , CJAC90SN12 , CJAE2002 , CJBA3134K , CJBA3139K , CJBA3541K , CJBA7002K , CJBB3134K , 5N65 , CJBD3020 , CJBE5005 , CJBM3020 , CEC2088E , CEC3172 , CED20N02 , CEU20N02 , CED25N02 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: APG045N85 | APG042N01D | APG038N01G | APG035N04Q | APG032N04G | APG028N10 | APG024N04G | APG022N06G | APG020N01GD | APG013N04G | APG011N04G | APG011N03G | APC65R190FM | APC60R030WMF | AP9N20K | AP9565K
Popular searches
2n388 | 2n3645 | 2n1307 | 2sa747 | a1941 | 2sd424 datasheet | 2sc536 datasheet | bd140 transistor equivalent



