Справочник MOSFET. CJBB3139K

 

CJBB3139K Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CJBB3139K
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.66 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5.7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 15 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.52 Ohm
   Тип корпуса: DFN1006-3L-A
 

 Аналог (замена) для CJBB3139K

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CJBB3139K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:791K  jiangsu
 cjbb3139k.pdf pdf_icon

CJBB3139K

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD DFN1006-3L-A Plastic-Encapsulate MOSFETsCJBB3139K P-Channel MOSFETID V(BR)DSS RDS(on)MAX DFN1006-3L-A m@-4.5V520-20V -0.66Am@-2.5V7803950m(TYP)@-1.8V 21FEATURE APPLICATION Lead Free Product is Acquired Load/ Power Switching Surface Mount Package Interfacing Switching P-Channel Switch with Low RDS

 7.1. Size:840K  jiangsu
 cjbb3134k.pdf pdf_icon

CJBB3139K

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD DFN1006-3L-A Plastic-Encapsulate MOSFETsCJBB3134K N-Channel MOSFETID V(BR)DSS RDS(on)MAX DFN1006-3L-A m@4.5V50020Vm@2.5V 0.75A7003m@1.8V90021FEATURE APPLICATION Lead Free Product is Acquired Load/ Power Switching Surface Mount Package Interfacing Switching N-Channel Switch with Low RDS(on)

Другие MOSFET... CJAC80N03 , CJAC90SN12 , CJAE2002 , CJBA3134K , CJBA3139K , CJBA3541K , CJBA7002K , CJBB3134K , 4435 , CJBD3020 , CJBE5005 , CJBM3020 , CEC2088E , CEC3172 , CED20N02 , CEU20N02 , CED25N02 .

History: BSC059N04LSG | BUK101-50GL | 2SJ652-1E | SL4N65I

 

 
Back to Top

 


 
.