CJBB3139K datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CJBB3139K  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.66 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5.7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 15 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.52 Ohm

Тип корпуса: DFN1006?3-A

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для CJBB3139K

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CJBB3139K даташит

 ..1. Size:791K  jiangsu
 cjbb3139k.pdf pdf_icon

CJBB3139K

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD DFN1006-3L-A Plastic-Encapsulate MOSFETs CJBB3139K P-Channel MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX DFN1006-3L-A m @-4.5V 520 -20V -0.66A m @-2.5V 780 3 950m (TYP)@-1.8V 2 1 FEATURE APPLICATION Lead Free Product is Acquired Load/ Power Switching Surface Mount Package Interfacing Switching P-Channel Switch with Low RDS

 7.1. Size:840K  jiangsu
 cjbb3134k.pdf pdf_icon

CJBB3139K

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD DFN1006-3L-A Plastic-Encapsulate MOSFETs CJBB3134K N-Channel MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX DFN1006-3L-A m @4.5V 500 20V m @2.5V 0.75A 700 3 m @1.8V 900 2 1 FEATURE APPLICATION Lead Free Product is Acquired Load/ Power Switching Surface Mount Package Interfacing Switching N-Channel Switch with Low RDS(on)

Другие IGBT... CJAC80N03, CJAC90SN12, CJAE2002, CJBA3134K, CJBA3139K, CJBA3541K, CJBA7002K, CJBB3134K, 5N65, CJBD3020, CJBE5005, CJBM3020, CEC2088E, CEC3172, CED20N02, CEU20N02, CED25N02