SSH5N90A Todos los transistores

 

SSH5N90A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SSH5N90A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 160 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 39 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 105 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.9 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3P
     - Selección de transistores por parámetros

 

SSH5N90A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:934K  samsung
 ssh5n90a.pdf pdf_icon

SSH5N90A

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 900 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 2.9 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 5 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 25 A (Max.) @ VDS = 900V Low RDS(ON) : 2.300 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Characteristic Value

 7.1. Size:264K  semelab
 ssh5n90.pdf pdf_icon

SSH5N90A

 9.1. Size:258K  1
 ssh5n80a.pdf pdf_icon

SSH5N90A

SSH5N80AAdvanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 800 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 2.2 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 5 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating AreaTO-3P Lower Leakage Current : 25 A (Max.) @ VDS = 800V Low RDS(ON) : 1.824 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Charac

Otros transistores... SSH40N20 , SSH40N20A , SSH45N20A , SSH4N70 , SSH4N70A , SSH4N80AS , SSH4N90AS , SSH5N80A , AON7410 , SSH60N06 , SSH60N06A , SSH60N10 , SSH60N10A , SSH6N55 , SSH6N60 , SSH6N70 , SSH6N70A .

History: FKI06190 | SSG4394N | STW10NK80Z | HUF75623P3 | AON3806 | BRCS20N03IP | STS4DPF30L

 

 
Back to Top

 


 
.